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논문 상세정보

Effects of Annealing Sequences on Ferroelectric Properties of Nb-Doped Bismuth Titanate Thin Films

Effects of Annealing Sequences on Ferroelectric Properties of Nb-Doped Bismuth Titanate Thin Films

Journal of the Korean Physical Society v.42 no.IV , 2003년, pp.1130 - 1133  
Jong Kuk Kim, Jinheung Kim, Eun Kyung Choi, Jong-Hwa Kim, Sang Su Kim, Tae Kwon Song
초록

Nb-doped Bi4Ti3O12 (Nb-BIT) ferroelectric thin lms were prepared on Pt/Ti/SiO2/Si substratesby metalorganic solution deposition (MOSD) method. A nonionic block copolymer was used in thepreparation of the precursor solutions in order to give a random orientation of crystal grains. Twoannealing methods of conventional furnace annealing (CFA) and rapid thermal annealing (RTA)were compared to investigate dierences in microstructures, phase formations and ferroelectricproperties of the crystallized Nb-BIT thin lms. Also, the eects of pre-heating at 500 C by RTAbefore the nal annealing steps at 700 C were studied. The lm crystallized at 700 C by CFAwith pre-heating at 500 C by RTA showed good ferroelectric properties with random orientationand remanent polarization Pr = 26 C/cm2 at a maximum applied eld of 200 kV/cm. The pulsepolarizations (P = P .. P^) decreased about 30 % of initial value after being subjected to1.51010 read/write cycles at a frequency of 1 MHz.

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