$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

Dependences of the Characteristics of an InGaP/GaAs HBT for Applications in Power Amplifiers on the Structural Parameters

Dependences of the Characteristics of an InGaP/GaAs HBT for Applications in Power Amplifiers on the Structural Parameters

Journal of the Korean Physical Society v.59 no.21 , 2011년, pp.435 - 438  
민병규, 윤형섭, 이종민, 김성일, 김해천, 최일환, 장경욱
초록

In this paper, InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) devices were fabricated with various distances between the electrodes and the collector mesa, various widths of the emitter electrode and various thicknesses of the nitride passivation film. Cutoff frequencies and maximum oscillation frequencies of the devices were above 40 GHz and above 62 GHz, respectively. These values are considered sufficient for applications to power amplifiers at frequencies up to 5.5 GHz. On the other hand, the devices designed to obtain reproducibility through fabrication process showed a slight degradation in the frequency characteristics but a substantial enhancement of uniformity at the emitter-collector breakdown voltage (BVceo).

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • 원문 PDF 정보가 존재하지 않습니다.

원문 URL 링크

  • 원문 URL 링크 정보가 존재하지 않습니다.
상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일