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NTIS 바로가기화학증폭형 포토레지스트에 사용될 수 있는 광산발생제로서 N-hydroxyphthalimide sulfonate 유도체들을 합성하고 이것에 의한 광산 발생 반응과 화학증폭 포토레지스트에 대한 적용에 관해 연구하였다. 이 유도체들은 l50℃ 까지 열적으로 안정하였으며, 물/아세토니트릴의 혼합용매 내에서 자외선 조사에 따른 pH의 변화를 관찰한 결과 산이 생성됨을 확인하였고, 이것에 의한 PGMA의 광가교 반응을 관찰한 결과 전형적인 양이온 광중합 개시제의 반응 특성을 보였다. 화학증폭형 포토레지스트 재료는 t-BOC로 보호된 poly(4-hydroxyphenyl methacrylate)을 합성하여 사용 하였는데 분자량은 9300 정도였다. 포토레지스트에 광산발생제들을 첨가한 후에 254nm의 ...
N-hydroxyphthalimide sulfonate derivatives were synthesized by the reaction of N-hydroxyphthalimide and sulfonyl chloride and these derivatives were applied to chemical amplication photoresist as a photoacid generator. These derivatives were thermally stable up to 150℃. The photoacid generation by t...
저자 | 박익주 |
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학위수여기관 | 全南大學校 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 고분자공학과 |
발행연도 | 1993 |
총페이지 | 60장 |
키워드 | NHYDROXYPHTHALIMIDE SULFONATE 유도체 광산발생 화학증폭 포토레지스트 하이드로옥시프달이미드 술포네이트 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T2279531&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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