Microelectrics에서 사용할 수 있는 YB₂Cu₃O_(7-x) 고온 초전도체 개발을 위해 Si(100) Wafer 위에 Buffer Layer로 사용되는 LaAlO₃ 분말 제조 및 특성에 관한 연구 Preparation and Properties of LaAlO₃ Powders as a Buffer Layer on the Si(100) Wafer for YB₂Cu₃O_(7-x) Superconductor Application in Microelectrics원문보기
자발 착화 연소 합성법과 고상 반응법을 이용하여 Si(100) 기판위에 YB_(2)Cu_(3)O_(7-x) 고온초전도체의 Buffer layer로 사용되는 LaA10_(3) 분말을 공기 분위기 하에서 하소 온도와 하소 시간을 변화시키면서 제조하고 그 특성을 분석하였다. 또한 Screen Printing을 이용하여 Si(100) 기판위에 buffer layer로써 LaA10_(3) 분말을 coating하여 소결온도를 1000~1100℃로 변화시키면서 공기분위기에서 소결하였다. 연소반응후 얻은 분말의 특성은 X-선 회절법, 주사전자현미경 (SEM), Brunauer - Emmett - Teller(...
자발 착화 연소 합성법과 고상 반응법을 이용하여 Si(100) 기판위에 YB_(2)Cu_(3)O_(7-x) 고온초전도체의 Buffer layer로 사용되는 LaA10_(3) 분말을 공기 분위기 하에서 하소 온도와 하소 시간을 변화시키면서 제조하고 그 특성을 분석하였다. 또한 Screen Printing을 이용하여 Si(100) 기판위에 buffer layer로써 LaA10_(3) 분말을 coating하여 소결온도를 1000~1100℃로 변화시키면서 공기분위기에서 소결하였다. 연소반응후 얻은 분말의 특성은 X-선 회절법, 주사전자현미경 (SEM), Brunauer - Emmett - Teller(BET), Thermogravi - Metric - Analysis(TGA), Dilatometric, 밀도(Density) 을 이용하여 분석하였다. Si (100) 기판위에 screen Printing을 이용하여 얻은 후막에 대해 주사전자현미경과 X-선 회절법 으로 측정하였다. 고상 반응법은 공기 분위기 하에서 하소 온도를 1000~1500℃에서 5시간 동안 열처리를 해도 LaA10_(3) 단일상을 얻기가 어려었다. 반면에 자발 착화 연소 합성법은 650℃에서 30분동안 열처리 함으로써 단일상이고 비표면적이 56.54㎡/g인 매우 미세한 LaA10_(3) 분말을 얻을 수 있었다. Screen Printing으로 얻은 후막은 1000℃-2h 산소분위기에서 소결하였을때 기판인 Si(100)와 반응이 없었다.
자발 착화 연소 합성법과 고상 반응법을 이용하여 Si(100) 기판위에 YB_(2)Cu_(3)O_(7-x) 고온초전도체의 Buffer layer로 사용되는 LaA10_(3) 분말을 공기 분위기 하에서 하소 온도와 하소 시간을 변화시키면서 제조하고 그 특성을 분석하였다. 또한 Screen Printing을 이용하여 Si(100) 기판위에 buffer layer로써 LaA10_(3) 분말을 coating하여 소결온도를 1000~1100℃로 변화시키면서 공기분위기에서 소결하였다. 연소반응후 얻은 분말의 특성은 X-선 회절법, 주사전자현미경 (SEM), Brunauer - Emmett - Teller(BET), Thermogravi - Metric - Analysis(TGA), Dilatometric, 밀도(Density) 을 이용하여 분석하였다. Si (100) 기판위에 screen Printing을 이용하여 얻은 후막에 대해 주사전자현미경과 X-선 회절법 으로 측정하였다. 고상 반응법은 공기 분위기 하에서 하소 온도를 1000~1500℃에서 5시간 동안 열처리를 해도 LaA10_(3) 단일상을 얻기가 어려었다. 반면에 자발 착화 연소 합성법은 650℃에서 30분동안 열처리 함으로써 단일상이고 비표면적이 56.54㎡/g인 매우 미세한 LaA10_(3) 분말을 얻을 수 있었다. Screen Printing으로 얻은 후막은 1000℃-2h 산소분위기에서 소결하였을때 기판인 Si(100)와 반응이 없었다.
LaA10_(3) Powders as a buffer layer of high-T_(c) YBa_(2)Cu_(3)O_(7-x) on the Si (100) substrate were synthesized by a new combustion methodes called the glycine/urea-nitrate process and solid state method in various of calcination temperature and time in air. atmosphere. properties of LaA10_(3) pow...
LaA10_(3) Powders as a buffer layer of high-T_(c) YBa_(2)Cu_(3)O_(7-x) on the Si (100) substrate were synthesized by a new combustion methodes called the glycine/urea-nitrate process and solid state method in various of calcination temperature and time in air. atmosphere. properties of LaA10_(3) powders have been investigated, also, Thick films of the LaA10_(3) powders as a buffer layer on Si(100) substrate were obtained by screen Printing and sintering method as a function of sintering temperature(1000~1100℃) in air. These materials were characterized by X-ray diffractometer and SEM (Scanning Electron Microscopy) and BET(Brunauer - Emmett - Teller), and TGA (Thermogravi - Metric - Analysis) and Dilatometric and Density. Thick films of the LaA10_(3) powders as a buffer layer on Si(100) substrate were obtained by Screen Printing were characterized by SEM (Scanning Electron Microscopy). As the cacination temperature and time increased in solid state reaction method, LaA10_(3) phase increased. but it was difficult to obtain LaA10_(3) single phase. in the glycine/urea-nitrate process, it was easy to get single phase and ultra-fine LaA10_(3) powders with the largest specific surface area (56.54㎡/g) at 650℃ for 30min. Si(100) substrate and LaA10_(3) powders as a buffer layer weren't reaction when screen Printed thick films were sintered at 1000℃ for 2h in an oxygen atmosphere.
LaA10_(3) Powders as a buffer layer of high-T_(c) YBa_(2)Cu_(3)O_(7-x) on the Si (100) substrate were synthesized by a new combustion methodes called the glycine/urea-nitrate process and solid state method in various of calcination temperature and time in air. atmosphere. properties of LaA10_(3) powders have been investigated, also, Thick films of the LaA10_(3) powders as a buffer layer on Si(100) substrate were obtained by screen Printing and sintering method as a function of sintering temperature(1000~1100℃) in air. These materials were characterized by X-ray diffractometer and SEM (Scanning Electron Microscopy) and BET(Brunauer - Emmett - Teller), and TGA (Thermogravi - Metric - Analysis) and Dilatometric and Density. Thick films of the LaA10_(3) powders as a buffer layer on Si(100) substrate were obtained by Screen Printing were characterized by SEM (Scanning Electron Microscopy). As the cacination temperature and time increased in solid state reaction method, LaA10_(3) phase increased. but it was difficult to obtain LaA10_(3) single phase. in the glycine/urea-nitrate process, it was easy to get single phase and ultra-fine LaA10_(3) powders with the largest specific surface area (56.54㎡/g) at 650℃ for 30min. Si(100) substrate and LaA10_(3) powders as a buffer layer weren't reaction when screen Printed thick films were sintered at 1000℃ for 2h in an oxygen atmosphere.
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