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학위논문 상세정보

게이트 재산화 질화산화막을 갖는 비휘발성 반도체 기억소자의 제작과 특성

(A)Study on the Fabrication and Characteristics of NVSM with Reoxidized Nitrided Oxide Gate


남동우 (광운대학교 대학원 전자재료공학과 국내석사)
초록

일괄(in-situ)공정을 통한 저전압, 고집적 소자의 구현을 위하여 초기산화막 형성과 NO(nitric oxide) 질화 열처리, 재산화를 거친 재산화 질화산화막을 게이트 유전막으로 갖는 전하트랩형 비휘발성 반도체 기억소자를 제작하고 그 특성을 조사하였다. 적층 ONO 공정과 달리 일괄공정은 자연산화막이 배제된 우수한 산화막을 얻을 수 있고 공정이 간단하다는 장점이 있다. 그리고 질화 열처리는 산화막의 성능 향상에 기여한다는 것이 이미 잘 알려져 있다. 이 연구에서는 우선 재산화 질화산화막을 제작하고 질소의 분포와 결합상태를 분석...

Abstract

Charge trap type NVSMs(Non-Volatile Semiconductor Memory) with reoxidized nitrided oxide gate were fabricated by in-situ process to realize low voltage and high density device and the characteristics of devices were investigated. An excellent oxide film which has excluded native oxide can be obtaine...

참고문헌 (0)

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저자 남동우
학위수여기관 광운대학교 대학원
학위구분 국내석사
학과 전자재료공학과
발행년도 2001
총페이지 ⅸ, 59 p.
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T8836758&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

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