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학위논문 상세정보

Analysis of quantum effect in NMOSFETs


박지선 (이화여자대학교 과학기술대학원 정보통신학과 국내석사)
초록

동작 속도와 집적도의 향상이 급격하게 이루어지고 있는 VLSI system에서 MOSFET 소자가 deep submicron 영역으로 scaling 되고 있다. 이러한 deep submicron MOSFET의 소자 특성에서 발생하는 short-channel 효과를 최소화하면서 전류 구동 능력을 최대화하기 위하여, 산화막의 두께가 지속적으로 줄어들고, 기판의 doping 농도는 증가하고 있다. 이에 따라 산화막/실리콘 경계 근처에서 vertical electrical field가 매우 커지게 되어 inversion layer의 전자들...

Abstract

MOSFET device is scaled to deep submicron region in VLSI system for high speed and efficient integrated circuit (IC). This deep submicron MOSFET shows a short channel effect (SCE), which decreases the device ability. To reduce the SCE and maximize the device performance, oxide thickness should be re...

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저자 박지선
학위수여기관 이화여자대학교 과학기술대학원
학위구분 국내석사
학과 정보통신학과
발행년도 2000
총페이지 xi, 61 p.
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T8952081&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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