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학위논문 상세정보

상변화메모리에의 적용을 위한 N-doped Ge2Sb2+xTe5 박막의 결정화 특성에 관한 연구

Characteristics of crystallization behavior on N-doped Ge2Sb2+xTe5 thin film for phase change memory


권재석 (연세대학교 대학원 세라믹공학과 국내석사)
초록

상변화메모리(Phase Change Memory)는 상변화 물질의 비저항 차이를 이용한 메모리 소자로서 고집적성, 높은 쓰기 속도와 지우기 속도, 낮은 동작 전압, 높은 반복 기록 횟수, 기존 Si 기반 CMOS 공정에의 적용 용이성, 높은 sensing margin 등의 장점 등으로 차세대 비휘발성 메모리로 주목을 받고 있다.현재 PCM에의 적용을 위해 많이 연구되고 있는 Ge2Sb2Te5 물질의 경우 결정화 속도가 빠르고 비정질과 결정질간의 가역적이고 빠른 상변화 특성을 가지고 있다. 그러나 저전력 동작을 위한 리셋 전류(RES...

Abstract

PCM(Phase Change Memory) is a memory storing data by using resistivity difference between amorphous and crystalline phase. PCM is considered the most promising non-volatile memory due to its high Scalability, fast W/E speed, low operating voltage, high endurance, easy embedded CMOS applications, hig...

주제어

#상변화메모리;미세구조;결정립;PRAM;Ge2Sb2Te5;N-doped Ge2Sb2+xTe5;microstructure;grain;TEM;

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음
저자 권재석
학위수여기관 연세대학교 대학원
학위구분 국내석사
학과 세라믹공학과
지도교수 고대홍
발행년도 2006
총페이지 viii, 80장
키워드 상변화메모리, 미세구조, 결정립, PRAM, Ge2Sb2Te5, N-doped Ge2Sb2+xTe5, microstructure, grain, TEM
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10505327&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

DOI 인용 스타일