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학위논문 상세정보

금속유기화학기상증착법을 이용한 heavily doped Si 기판에서의 $CoSi_{2}$ layer의 성장거동 및 접합특성에 관한 연구

Growth behavior of $CoSi_{2}$ layer on heavily doped Si and junction characteristics using metalorganic chemical vapor deposition


이희승 (한국과학기술원 재료공학과 국내박사)
Abstract

The self-aligned silicide (salicide) process has been used for gate, source, and drain contact metallization in microelectronics devices. Among leading silicides, $CoSi_{2}$ is the most promising due to its low resistivity and line-width-independent sheet resistance. Epitaxial $CoSi_{2}$ layers, rat...

주제어

#cobalt silicide MOCVD epitaxial growth leakage current 코발트 실리사이드 heavily doped Si 금속유기화학기상증착법 에피 성장 누설 전류;

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음
저자 이희승
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내박사
학과 재료공학과
지도교수 안병태,Ahn, Byung Tae
발행년도 2002
총페이지 iv, 150 p.
키워드 cobalt silicide MOCVD epitaxial growth leakage current 코발트 실리사이드 heavily doped Si 금속유기화학기상증착법 에피 성장 누설 전류
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10505621&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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