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NTIS 바로가기Silicon nitride, silicon dioxide, and silicon oxynitride films are deposited using RPCVD, which is low temperature($\sim 250\,^\circ\!C$) deposition and has separate two chambers, i.e. plasma chamber and deposition chamber. So, the electronic damage is negligible. Stoichiometric $SiO_2$ and $Si_3N_4...
저자 | 이종주 |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기및전자공학과 |
지도교수 | 권영세,Kwon, Young-Se |
발행연도 | 1997 |
총페이지 | iii, 65 p. |
키워드 | RPCVD Si₃N₄ SiO₂ MIM capacitor Optical waveguide 화학기상증착 광도파로 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10506668&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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