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NTIS 바로가기Numerical techniques have been used to obtain the potential and electron concentration distribution and the resultant drain current in a Buried Channel MOS transistor in its subthreshold region. The exponential dependence of the drain current on the gateto-source bias voltage has been observed in th...
저자 | Kyung, Chong-Min |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기 및 전자공학과 |
발행연도 | 1977 |
총페이지 | [iii], 64, A19 p. |
키워드 | Electron distributions MOS 집적 회로 드레인 (반도체) 전자 밀도 Metal oxide semiconductor |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10509008&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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