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학위논문 상세정보

단일전구체를 이용한 SiC 박막의 성장에 관한 연구

Study on growth of SiC film using single precursor


김나리 (고려대학교 대학원 재료공학과 국내석사)
초록

SiC 박막은 그 전기적, 열적, 화학적 성질이 우수하여 고온, 고주파, 고출력용 전자소자 및 열악한 환경에서 사용될 수 있는 전자소자 제조를 위한 재료로서 앞으로 기대되는 물질이다. 또한 최근에는 또 다른 wide band gap 재료인 GaN나 Diamond 박막을 Si 기판위에서 성장시킬때 lattice mismatch 문제를 해결하기 위한 buffer layer 물질로도 사용되어지고 있다. 한편, 위와 같은 전자적인 응용 이외에 청색 발광소자 또는 광 검출기로의 응용도 많이 연구되어져 왔다. SiC의 우수한 전기, 전자적 특...

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

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저자 김나리
학위수여기관 고려대학교 대학원
학위구분 국내석사
학과 재료공학과
지도교수 김재수,변동진
발행년도 2006
총페이지 52 p.
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10509159&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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