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플라즈마화학기상증착법을 이용한 중성자 검출기용 보론카바이드 박막 증착 연구

Study of Boron Carbide Thin Film Deposition for Neutron Detector by RECVD


연대흠 (고려대학교 대학원 재료공학과 국내석사)

초록
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보론내화물 반도체-보론 카바이드를 형성할 수 있다는 점에서 중성자 포착에 효과적인 여러 가지 원소 중에서도 독특하다. 보론은 오랫동안 중성자 검출 반도체 소자, 신틸레이터를 이용한 중성자 검출기의 중성자 포획 원소, 수 퍼센트의 중성자 검출 효율을 가진 다이오드의 conversion layer에 쓰여 왔다. 보론을 더 효율적인, 완전 고체상인 중성자 검출기에 사용하도록 개발하는데 있어서의 난점은, 안정적인 보론이 풍부한 반도체 재료와 다이오드를 개발해야하는 문제점이었다. 그러한 소자는 여러 가지 척박한 환경에 적용할 수 있어야 한다. 부식, 고온, 마모에 강해야 할 것이다. 큰 단위 면적당 중성자 포획 능력 때문에 이러한 재료는 방사능 환경에서 또한 사용될 가능성을 가지고 있다[1]. 단결정이며 보론이 풍부한 보론 카바이드 반도체는 1959[2]년에 보론 카바이드의 성질과 합성에 관한 논문이 처음 발표된 이래로 오랫동안 연구되어 왔다. 1990년대에 들어서면서 비로소 반도체 보론-카바이드 재료와 전자 소자가 만들어졌으며, ...

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Boron is unique amongst the most efficient elements for neutron capture in that it is also able to form a refractory semiconductor - boron carbide. Boron has long been used as a dopant in neutron detecting semiconductor devices, as the neutron capture element in scintillator - based neutron detector...

학위논문 정보

저자 연대흠
학위수여기관 고려대학교 대학원
학위구분 국내석사
학과 재료공학과
지도교수 변동진
발행연도 2006
총페이지 viii, 67 p.
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10510426&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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