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학위논문 상세정보

1.3 um 파장 GaInAsP/InP Stripe 구조 Laser Diode 의 제작

Fabrication of 1.3 μm GaInAsP /InP DH stripe-geometry laser diodes


Yoo, Tae-Kyung (한국과학기술원 전기 및 전자공학과 국내석사)
초록

본 논문에서는 1.3 $\mu$m파장 영역에서 동작하는 GaInAsP/InP stripe 구조 laser diode 의 제작을 다루었다. 소자제작을 위하여 새로운 L.P.E(Liquid Phase Epitaxy) System이 설치되었다. 새로 설치된 System으로 InP 기판위에 lattice-matching 된 GaInAsP 결정이 L.P.E. 방법으로 성장되었다. 성장된 결정의 mismatching 정도, $\Delta$a/a, 는 0.05\% 이하였다. InP 기판위에 4개의 epitaxial 층을 성장시킨 wafer로 1...

Abstract

1.3 $\mu$m GaInAsP/InP DH stripe-geometry laser diodes are fabricated by L.P.E. (Liquid Phase Epitaxy) technique. L.P.E. system was newly constructed for the growth of quaternary epitaxial layers. The lattice-matched GaInAsP epitaxial layer was successfully grown on an InP substrate. The misfit of h...

주제어

#Epitaxy Diodes, semiconductor 액상 성장 임계 전류 주입 레이저 광 다이오드 Injection lasers;

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

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저자 Yoo, Tae-Kyung
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내석사
학과 전기 및 전자공학과
발행년도 1985
총페이지 [iii], 88 p.
키워드 Epitaxy Diodes, semiconductor 액상 성장 임계 전류 주입 레이저 광 다이오드 Injection lasers
언어 eng
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10512834&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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