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NTIS 바로가기광전자 집적회로(optoelectronic integrated circuit)에 응용할 목적으로 GaAs semi-insulating(S. I.) 기판위에 산화막 stripe구조 GaAs 이중 이형 접합 Laser diode를 제작하였다. Liquid phase epitaxy 방법에 의해 S.I.기판 위에 $n^-$-GaAs/n-GaAs/$n^+$-GaAs/n-AlGaAs/p-GaAs/pAlGaAs/$p^+$-GaAs층을 성장시켰다. Laser의 활성영역 (p-GaAs)의 두께는 0.6um이다. Laser부분의 4층을 화학적 Etching으로 제거하고 $n^+$-GaAs층에 n-type ohmic contact을 형성시켰다. 8um폭, cavity length 340um에서 210mA의 ...
Oxide stripe GaAs double heterostructure(DH) laser diodes were fabricated on semi-insulating(SI) GaAs substrate for optoelectronic integrated circuit(OEIC) applications in mind. $n^-$ -GaAs/n-GaAs/$n^+$ -GaAs/n-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs/$p^+$ -GaAs layers were grown on the SI substrate by liquid phase ...
저자 | Jung, Woong |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기 및 전자공학과 |
발행연도 | 1985 |
총페이지 | vi, 69 p. |
키워드 | Liquid crystal Epitaxy Injection lasers Ohmic contacts 비소화갈륨 주입 레이저 광 다이오드 액상 성장 임계 전류 Gallium arsenide semiconductors |
언어 | eng |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10512835&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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