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학위논문 상세정보

SI 기판 상의 평면형 GaAs 이형 접합 Laser Diode 의 제작

Fabrication of planar GaAs DH laser diodes on SI substrate


Jung, Woong (한국과학기술원 전기 및 전자공학과 국내석사)
초록

광전자 집적회로(optoelectronic integrated circuit)에 응용할 목적으로 GaAs semi-insulating(S. I.) 기판위에 산화막 stripe구조 GaAs 이중 이형 접합 Laser diode를 제작하였다. Liquid phase epitaxy 방법에 의해 S.I.기판 위에 $n^-$-GaAs/n-GaAs/$n^+$-GaAs/n-AlGaAs/p-GaAs/pAlGaAs/$p^+$-GaAs층을 성장시켰다. Laser의 활성영역 (p-GaAs)의 두께는 0.6um이다. Laser부분의 4층을 화학적 Etc...

Abstract

Oxide stripe GaAs double heterostructure(DH) laser diodes were fabricated on semi-insulating(SI) GaAs substrate for optoelectronic integrated circuit(OEIC) applications in mind. $n^-$ -GaAs/n-GaAs/$n^+$ -GaAs/n-AlGaAs/p-GaAs/p-AlGaAs/$p^+$ -GaAs layers were grown on the SI substrate by liquid phase ...

주제어

#Liquid crystal Epitaxy Injection lasers Ohmic contacts 비소화갈륨 주입 레이저 광 다이오드 액상 성장 임계 전류 Gallium arsenide semiconductors;

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저자 Jung, Woong
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내석사
학과 전기 및 전자공학과
발행년도 1985
총페이지 vi, 69 p.
키워드 Liquid crystal Epitaxy Injection lasers Ohmic contacts 비소화갈륨 주입 레이저 광 다이오드 액상 성장 임계 전류 Gallium arsenide semiconductors
언어 eng
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10512835&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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DOI 인용 스타일