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학위논문 상세정보

저온 공정을 사용한 ECR N₂O-플라즈마 산화막을 가지는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터 EEPROM 소자

(A) polysilicon thin film transistor EEPROM cell with ECR N₂O-plasma oxide using low temperature process


오정훈 (한국과학기술원 전기및전자공학과 국내석사)
Abstract

A planar polysilicon thin film transistor (TFT) EEPROM cell fabricated with a low temperature (<400 centigrade) process is demonstrated in this work. The gate electrodes of the TFT are connected to form the floating gate of the cell, while the source and drain of the larger TFT are connected to form...

주제어

#Polysilicon TFT Low temperature process Plasma oxide 다결정실리콘 박막트랜지스터 EEPROM 저온공정 플라즈마산화막;

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저자 오정훈
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내석사
학과 전기및전자공학과
지도교수 한철희,Han, Chul-Hi
발행년도 1998
총페이지 ⅱ, 31p.
키워드 Polysilicon TFT Low temperature process Plasma oxide 다결정실리콘 박막트랜지스터 EEPROM 저온공정 플라즈마산화막
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10514997&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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