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학위논문 상세정보

고선택비 산화막 식각을 위한 시간 변조된 유도 결합 CF₄/H₂ 플라즈마에 대한 이론적 연구

Theoretical investigation on time modulated, inductively coupled CF₄/H₂ plasma discharges for highly selective oxide etching


조용석 (한국과학기술원 물리학과 국내석사)
초록

고선택비 산화막 식각을 위해, 시간 변조된 유도 결합 $CF_4/H_2$ 플라즈마에 대한 0차원 모델링을 통하여 이론적인 연구를 수행하였다. 펄스 폭, 펄스 duty ratio, $H_2$의 조성비, 압력, 입력 RF 파워 등의 공정 변수들을 변화 시켜가며, C/F비와 활성종과 이온의 밀도 변화를 시뮬레이션하였다. 입력 RF 파워를 시간 변조하여 전자의 온도를 낮춤으로써, $CF_4/H_2$플라즈마에서 보다 높은 C/F의 비를 얻을 수 있었다. 본 결과는 공정변수에 따른 선택비를 측정한 여타의 실험들과 경향이 일치하였다....

Abstract

We investigated theoretically time-modulated, inductively coupled CF$_4$/H$_2$ plasma discharges for highly selective oxide etching using 0-dimensional modeling. The density of radicals and ions, and C/F ratio for various processing parameters such as pulse-width, duty ratio, the fraction of H$_2$ i...

주제어

#산화막 플라즈마 고선택비;

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저자 조용석
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내석사
학과 물리학과
지도교수 장충석,Chang, Choong-Seock
발행년도 1999
총페이지 ⅲ, 54p.
키워드 산화막 플라즈마 고선택비
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10515369&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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