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NTIS 바로가기deposition is demonstrated. From the reactor analysis based on boundary layer model, some defaults of the reactor system are discussed and improved reactor design is proposed. Some basic growth parameter (Growth rate, surface morphology, crystalline characte Selective epitaxial growth of GaAs by org...
저자 | 고광진 |
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학위수여기관 | 한국과학기술원 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 전기및전자공학전공 |
지도교수 | 권영세,Kwon, Young-Se |
발행연도 | 2001 |
총페이지 | 44 p. |
키워드 | MOCVD 박막성장 |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T10515582&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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