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학위논문 상세정보

불순물 확산을 사용하는 CMOS 공정

CMOS process using impurity diffusion


경기명 (한국과학기술원 전기및전자공학전공 국내석사)
Abstract

A CMOS process which employs only single ion-implantation step for the p-well has been designed and tested This process is relatively easy to use and maintain in university laboratory environment since the expensive ion-implantation process can be carried out outside the university laboratory. Proce...

주제어

#CMOS Diffusion Boron penetration 확산 불순물 확산;

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

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저자 경기명
학위수여기관 한국과학기술원
학위구분 국내석사
학과 전기및전자공학전공
지도교수 김충기,Kim, Choong-Ki
발행년도 2000
총페이지 i, 53 p.
키워드 CMOS Diffusion Boron penetration 확산 불순물 확산
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T10515771&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

DOI 인용 스타일