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NTIS 바로가기Optoelectronics devices that have heterojunction bipolar transistors (HBTs) are used in laser diode, cellular phone display and PC, which require high performance of ohmic contacts to achieve high-speed operation. InP based on HBTs mainly use p-type InGaAs as their substrate and anode contact materi...
저자 | 임흥수 |
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학위수여기관 | 창원대학교 |
학위구분 | 국내석사 |
학과 | 신소재나노공학과정 |
지도교수 | 구본흔 |
발행연도 | 2008 |
총페이지 | iii,57p.(단면) |
언어 | kor |
원문 URL | http://www.riss.kr/link?id=T11396672&outLink=K |
정보원 | 한국교육학술정보원 |
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