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학위논문 상세정보

차세대 비휘발성 메모리 적용을 위하여 Au/SrBi₂Ta₂O_(9)/LaZrO_(x)/Si 게이트 스택을 이용한 강유전체-게이트 전계효과 트랜지스터 : Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors with Au/SrBi₂Ta₂O_(9)/LaZrO_(x)/Si Gate Stack for Next Generation Non-Volatile Memories


임종현 (서울시립대학교 대학원 전자전기컴퓨터공학부 국내박사)
초록

최근 차세대 비휘발성 메모리를 위한 다양한 연구가 폭넓게 진행되고 있다. 이들중에서, 강유전체 게이트 전계 효과 트랜지스터 (Fe-FETs) 는 고밀도, 비파괴 판독 동작 (non-destructive read-out), 저소비전력, 고속 동작이라는 장점을 가지고 있다. 이와 같은 Fe-FETs는 금속-강유전체-반도체 (MFS)와 금속-강유전체-절연층-반도체 (MFIS)라는 두 가지 게이트 구조를 이용한 연구가 진행되고 있다. MFS 게이트 구조의 경우, 강유전체 박막이 실리콘 기판 위에 직접 증착되기 때문에 좋은 계면 특성을 획득...

Abstract

Recently, many studies for the next generation non-volatile memories have been extensively advanced. Among these memories, ferroelectric-gate field effect transistors (Fe-FETs) have promising advantages of high density integration, non-destructive read-out operation, low power-consumption, and high-...

주제어

#Fe-FETs;Ferroelectric;Non-volatile;LaZrO_(x);SrBi₂Ta₂O_(9);강유전체;비휘발성 메모리;

참고문헌 (0)

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저자 임종현
학위수여기관 서울시립대학교 대학원
학위구분 국내박사
학과 전자전기컴퓨터공학부
지도교수 김철주
발행년도 2009
총페이지 ⅷ, 111 p.
키워드 Fe-FETs, Ferroelectric, Non-volatile, LaZrO_(x), SrBi₂Ta₂O_(9), 강유전체, 비휘발성 메모리
언어 eng
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T11547878&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원
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