본 논문에서는 LCD, PDP, OLED등의 디스플레이에 가장 많이 사용되는 ITO를 대체하기 위한 Al이 도핑된 ZnO(AZO) 박막을 실온에서 PC 및 PES ...
본 논문에서는 LCD, PDP, OLED등의 디스플레이에 가장 많이 사용되는 ITO를 대체하기 위한 Al이 도핑된 ZnO(AZO) 박막을 실온에서 PC 및 PES고분자 기판상에 대향 타겟 스퍼터링 방법을 사용하여 제작하였다. AZO박막은 작업압력, 산소가스 유량비 및 입력전력에 따라 두께 100nm로 증착되었으며, PC 기판과 PES 기판에 증착된 AZO박막의 특성을 X-ray diffractometer , Hall effect measurement, 4-point probe, UV-VIS spectrometer, 및 자체 제작된 Bending test 장비를 이용하여 조사하였다. 그 결과, 기판의 종류에 관계없이 산소 가스 유량비가 증가할수록 증착율은 감소하였으며, 입력전력이 증가할수록 증착율은 증가하였다. 또한 대부분의 조건에서 결정질의 AZO박막과 85%이상의 투과율을 가지는 박막을 얻을 수 있었다. AZO박막의 비저항은 대체적으로 산소 가스 유량비가 증가할수록 증가하는 경향을 보였고, 가장 낮은 비저항은 산소 가스 유량비 0 일 때 제작한 박막에서 얻어졌으며, 그 때의 비저항 값은 PC기판인 경우 8.6×10^(-4)Ω㎝, PES 기판인 경우 5.6×10^(-4)Ω㎝ 였다.
본 논문에서는 LCD, PDP, OLED등의 디스플레이에 가장 많이 사용되는 ITO를 대체하기 위한 Al이 도핑된 ZnO(AZO) 박막을 실온에서 PC 및 PES 고분자 기판상에 대향 타겟 스퍼터링 방법을 사용하여 제작하였다. AZO박막은 작업압력, 산소가스 유량비 및 입력전력에 따라 두께 100nm로 증착되었으며, PC 기판과 PES 기판에 증착된 AZO박막의 특성을 X-ray diffractometer , Hall effect measurement, 4-point probe, UV-VIS spectrometer, 및 자체 제작된 Bending test 장비를 이용하여 조사하였다. 그 결과, 기판의 종류에 관계없이 산소 가스 유량비가 증가할수록 증착율은 감소하였으며, 입력전력이 증가할수록 증착율은 증가하였다. 또한 대부분의 조건에서 결정질의 AZO박막과 85%이상의 투과율을 가지는 박막을 얻을 수 있었다. AZO박막의 비저항은 대체적으로 산소 가스 유량비가 증가할수록 증가하는 경향을 보였고, 가장 낮은 비저항은 산소 가스 유량비 0 일 때 제작한 박막에서 얻어졌으며, 그 때의 비저항 값은 PC기판인 경우 8.6×10^(-4)Ω㎝, PES 기판인 경우 5.6×10^(-4)Ω㎝ 였다.
In thin study, we prepared the AZO thin film for replacing the ITO at room temperature on PC (polycarbonate) and PES (polyethersulfone) substrate using the FTS (Facing Targets Sputtering) method. We observed the properties of AZO thin film deposited on PC and PES substrate as a function of sputterin...
In thin study, we prepared the AZO thin film for replacing the ITO at room temperature on PC (polycarbonate) and PES (polyethersulfone) substrate using the FTS (Facing Targets Sputtering) method. We observed the properties of AZO thin film deposited on PC and PES substrate as a function of sputtering conditions. In the results, the deposition rate decreased with the increase of oxygen gas flow rate. And with the increase of input power, the deposition rate increased. In most conditions, we were able to obtain the crystalline AZO thin films and the transmittance of over 85% in the visible range (300nm - 800nm). The AZO thin films with the low resistivity of 5.6×10^(-4)Ω-㎝ and 8.6×10^(-4)Ω-㎝ on PES substrate and PC substrate. We were able to prepare the AZO thin film in high quality at room temperature on PC and PES substrate.
In thin study, we prepared the AZO thin film for replacing the ITO at room temperature on PC (polycarbonate) and PES (polyethersulfone) substrate using the FTS (Facing Targets Sputtering) method. We observed the properties of AZO thin film deposited on PC and PES substrate as a function of sputtering conditions. In the results, the deposition rate decreased with the increase of oxygen gas flow rate. And with the increase of input power, the deposition rate increased. In most conditions, we were able to obtain the crystalline AZO thin films and the transmittance of over 85% in the visible range (300nm - 800nm). The AZO thin films with the low resistivity of 5.6×10^(-4)Ω-㎝ and 8.6×10^(-4)Ω-㎝ on PES substrate and PC substrate. We were able to prepare the AZO thin film in high quality at room temperature on PC and PES substrate.
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