자발광 분광기 (Self Plasma Optical Emission Spectroscopy: SP-OES)는 반도체 공정의 실시간 모니터링을 할 수 있는 장비로, 반nj...
자발광 분광기 (Self Plasma Optical Emission Spectroscopy: SP-OES)는 반도체 공정의 실시간 모니터링을 할 수 있는 장비로, 반도체 장비의 Seasoning Time (Warming-up time)을 감소시킬 수 있고, 반도체에 사용되는 공정가스의 흐름을 모니터링 할 수 있는 기능을 가진다. 또한, 공정 중에 일어날 수 있는 Leak와 오염의 모니터링으로 Wafer의 손상을 최소화할 수 있다. SP-OES의 플라즈마 발생 방식으로 유도결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma: ICP) 방식과 용량결합 플라즈마 (Capacitively Coupled Plasma: CCP) 방식이 주로 사용된다. 유도결합 플라즈마는 고진공 영역 (수 mTorr)에서 Radio Frequency (RF) 전력을 사용하여 플라즈마를 발생시킨다. 이렇게 발생한 플라즈마는 밀도가 높아 (> 1012 cm-3) 측정되는 광 신호의 Intensity가 높다. 유도결합 플라즈마는 방전 공간의 가스 압력, RF Power의 주파수, 방전 공간 내에 유도되는 전기장의 크기를 정의하는 Antena의 형태, Inductance 등에 의해서 특성이 결정된다. 유도결합 플라즈마 방식으로 형성된 플라즈마는 밀도가 높아 Optical Emission Intensity가 높다. 용량결합 플라즈마는 방전 공간 내부에 두 개의 전극을 형성, 방전 공간 내부로 직접적인 Power를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 방식이다. 두 전극 사이의 전기장을 강화시켜 줌으로써 상압에 이르기까지 높은 압력에서도 플라즈마를 발생시키기 용이하다. 용량결합 플라즈마는 고진공 (수십 Torr 이하) 영역에서 Normal Glow 방전을, 저진공 (100 Torr~Atmospheric Pressure) 영역에서는 전류가 전극사이의 Process Gas (유전체)에 의하여 제한되어 Streamer 방전을 일으킨다. 이로 인하여 고진공영역에서의 플라즈마 Optical Emission Intensity는 저진공영역의 Streamer 방전 Optical Emission Intensity보다 낮다. 용량결합 플라즈마의 밀도는 1010 cm-3 정도로 유도결합 플라즈마에 비하여 낮다. 공정이 진행되면서 방전관 내부의 Metal Deposition으로 인하여, 유도결합 플라즈마를 적용한 SP-OES는 방전관 내부로 인가되는 전력을 Metal Layer가 차단하여 플라즈마 방전이 발생하지 않게 된다. 그에 반하여 용량결합 플라즈마의 경우, 플라즈마 방전을 위하여 방전 공간 내부로 전극을 형성하므로 Metal Deposition으로 인한 플라즈마 방전 Fail 현상이 발생하지 않는다. 또한, Micro Wave Power를 인가하여 방전 공간 내의 원자, 이온 및 전자 등이 방전관 내벽과 충돌하지 못하게 하여 방전관 내부의 Metal Deposition을 방지할 수 있다.The self plasma optical emission spectroscopy (SP-OES), an equipment allowing real-time monitoring of the semiconductor process, reduces the seasoning time (warming-up time) of the semiconductor equipment and functions to monitor the flow of process gas used for semiconductors. It can, moreover, minimize the wafer damage by monitoring leak and contamination during the process The mode for the SP-OES plasma generation, in general, employs the inductively coupled plasma (ICP) and the capacitively coupled plasma (CCP). The ICP generates plasma with the radio frequency power at a high vacuum domain (several mTorr?s). This sort of plasma has high density (> 1012 cm-3), bringing out high intensity of optical signals. The CCP is characterized with, for example, gas pressure in the electric discharge space, frequency of the RF power, antenna shape defining the size of the electric field induced within the electric discharge space, and inductance. The plasma formulated with the ICP mode has substantial optical emission intensity due to high density. The CCP generates plasma by way of formulating two electrodes inside the electric discharge space and permitting direct power into the electric discharge space. Fortification of the electric field between the two electrodes makes easily possible to generate plasma at high pressure until reaching the atmospheric pressure. The ICP generates the normal glow electric discharge at a high vacuum (below scores of Torr) domain and the streamer electric discharge as electricity is controlled by the process gas between the electrodes at a low vacuum domain (100 Torr?Atmospheric Pressure). For that reason, the plasma optical emission intensity at a high vacuum is lower than the optical emission intensity of the streamer discharge at a low vacuum domain; the density of the CCP marks 1010 cm-3, which is lower than that of the ICP. Because of the interior metal deposition in the discharge tube during the process, the SP-OES implemented with the ICP operates the metal layer to isolate the power delivered into the discharge tube inside and prohibits the plasma discharge. Conversely, the CCP forms the electricity inside the discharge space for the plasma discharge, preventing the failure of plasma discharge due to metal deposition.
자발광 분광기 (Self Plasma Optical Emission Spectroscopy: SP-OES)는 반도체 공정의 실시간 모니터링을 할 수 있는 장비로, 반도체 장비의 Seasoning Time (Warming-up time)을 감소시킬 수 있고, 반도체에 사용되는 공정가스의 흐름을 모니터링 할 수 있는 기능을 가진다. 또한, 공정 중에 일어날 수 있는 Leak와 오염의 모니터링으로 Wafer의 손상을 최소화할 수 있다. SP-OES의 플라즈마 발생 방식으로 유도결합 플라즈마 (Inductively Coupled Plasma: ICP) 방식과 용량결합 플라즈마 (Capacitively Coupled Plasma: CCP) 방식이 주로 사용된다. 유도결합 플라즈마는 고진공 영역 (수 mTorr)에서 Radio Frequency (RF) 전력을 사용하여 플라즈마를 발생시킨다. 이렇게 발생한 플라즈마는 밀도가 높아 (> 1012 cm-3) 측정되는 광 신호의 Intensity가 높다. 유도결합 플라즈마는 방전 공간의 가스 압력, RF Power의 주파수, 방전 공간 내에 유도되는 전기장의 크기를 정의하는 Antena의 형태, Inductance 등에 의해서 특성이 결정된다. 유도결합 플라즈마 방식으로 형성된 플라즈마는 밀도가 높아 Optical Emission Intensity가 높다. 용량결합 플라즈마는 방전 공간 내부에 두 개의 전극을 형성, 방전 공간 내부로 직접적인 Power를 인가하여 플라즈마를 발생시키는 방식이다. 두 전극 사이의 전기장을 강화시켜 줌으로써 상압에 이르기까지 높은 압력에서도 플라즈마를 발생시키기 용이하다. 용량결합 플라즈마는 고진공 (수십 Torr 이하) 영역에서 Normal Glow 방전을, 저진공 (100 Torr~Atmospheric Pressure) 영역에서는 전류가 전극사이의 Process Gas (유전체)에 의하여 제한되어 Streamer 방전을 일으킨다. 이로 인하여 고진공영역에서의 플라즈마 Optical Emission Intensity는 저진공영역의 Streamer 방전 Optical Emission Intensity보다 낮다. 용량결합 플라즈마의 밀도는 1010 cm-3 정도로 유도결합 플라즈마에 비하여 낮다. 공정이 진행되면서 방전관 내부의 Metal Deposition으로 인하여, 유도결합 플라즈마를 적용한 SP-OES는 방전관 내부로 인가되는 전력을 Metal Layer가 차단하여 플라즈마 방전이 발생하지 않게 된다. 그에 반하여 용량결합 플라즈마의 경우, 플라즈마 방전을 위하여 방전 공간 내부로 전극을 형성하므로 Metal Deposition으로 인한 플라즈마 방전 Fail 현상이 발생하지 않는다. 또한, Micro Wave Power를 인가하여 방전 공간 내의 원자, 이온 및 전자 등이 방전관 내벽과 충돌하지 못하게 하여 방전관 내부의 Metal Deposition을 방지할 수 있다.The self plasma optical emission spectroscopy (SP-OES), an equipment allowing real-time monitoring of the semiconductor process, reduces the seasoning time (warming-up time) of the semiconductor equipment and functions to monitor the flow of process gas used for semiconductors. It can, moreover, minimize the wafer damage by monitoring leak and contamination during the process The mode for the SP-OES plasma generation, in general, employs the inductively coupled plasma (ICP) and the capacitively coupled plasma (CCP). The ICP generates plasma with the radio frequency power at a high vacuum domain (several mTorr?s). This sort of plasma has high density (> 1012 cm-3), bringing out high intensity of optical signals. The CCP is characterized with, for example, gas pressure in the electric discharge space, frequency of the RF power, antenna shape defining the size of the electric field induced within the electric discharge space, and inductance. The plasma formulated with the ICP mode has substantial optical emission intensity due to high density. The CCP generates plasma by way of formulating two electrodes inside the electric discharge space and permitting direct power into the electric discharge space. Fortification of the electric field between the two electrodes makes easily possible to generate plasma at high pressure until reaching the atmospheric pressure. The ICP generates the normal glow electric discharge at a high vacuum (below scores of Torr) domain and the streamer electric discharge as electricity is controlled by the process gas between the electrodes at a low vacuum domain (100 Torr?Atmospheric Pressure). For that reason, the plasma optical emission intensity at a high vacuum is lower than the optical emission intensity of the streamer discharge at a low vacuum domain; the density of the CCP marks 1010 cm-3, which is lower than that of the ICP. Because of the interior metal deposition in the discharge tube during the process, the SP-OES implemented with the ICP operates the metal layer to isolate the power delivered into the discharge tube inside and prohibits the plasma discharge. Conversely, the CCP forms the electricity inside the discharge space for the plasma discharge, preventing the failure of plasma discharge due to metal deposition.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.