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학위논문 상세정보

건식식각 공정에서 Cl2 가스 유량이 Photoresist 제거에 미치는 영향


노진규 (금오공과대학교 산업대학원 신소재공학과 국내석사)
초록

최근 LCD 공정의 효율 향상을 위하여 mask수 저감 등 많은 공정평가 및 적용을 시도하고 있다. 전통적으로 dry etch 공정은 photoresist (PR)제거 및 amorphous silicon제거, 기판위에 이물제거를 위하여 dry etch 장비를 이용하여 진행되어 왔다. Dry etch는 강건한 조건을 만들기 위하여 RF power, 압력, 온도, 가스유량 등의 변수를 변경하여 공정조건을 설정한다. 본 논문에서는 dry etch 공정에서 비정질 실리콘을 식각하는 도중 발생하는 PR의 표면변화에 영향을 주는 인자 중, C...

참고문헌 (0)

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이 논문을 인용한 문헌 (0)

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저자 노진규
학위수여기관 금오공과대학교 산업대학원
학위구분 국내석사
학과 신소재공학과
지도교수 최병호
발행년도 2013
총페이지 iii, 63 p.
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T13233908&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

DOI 인용 스타일