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본 논문에서는 AM-OLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이를 위한 a-InGaZnO TFT(Thin Film Transistor) 기반의 화소 보상 회로와 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon) TFT 기반의 화소 보상회로를 각각 제안한다. a-InGaZnO TFT 기반의 회로의 경우, 지속적인 게이트 바이어스에 따른 Driving TFT의 ...

본 논문에서는 AM-OLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이를 위한 a-InGaZnO TFT(Thin Film Transistor) 기반의 화소 보상 회로와 LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon) TFT 기반의 화소 보상회로를 각각 제안한다. a-InGaZnO TFT 기반의 회로의 경우, 지속적인 게이트 바이어스에 따른 Driving TFT의 문턱 전압 변화를 보상하도록 설계 하였다. 시뮬레이션을 통해서 본 회로가 다양한 스트레스 조건 하에서 문턱 전압 변화를 보상하는 것을 검증하였고, 레이아웃을 통해서 본 회로가 기존의 회로보다 더 큰 개구율을 갖는다는 것을 확인하였다. LTPS TFT 기반의 회로의 경우, LTPS TFT의 제작 공정상에서 생겨나는 문제점인 전자 이동도 편차뿐만 아니라 게이트 바이어스 스트레스에 따른 Driving TFT의 문턱 전압 변화를 화소 회로 내에서 보상한다는 것을 시뮬레이션을 통해 증명하였다.

Abstract ▼ AI-Helper

In this thesis, we developed two novel pixel circuits based on various TFT(Thin Film Transistor) technologies for AM-OLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) displays. At first, we proposed a novel a-InGaZnO TFT pixel circuit and verified that the proposed circuit could compensate for the va...

In this thesis, we developed two novel pixel circuits based on various TFT(Thin Film Transistor) technologies for AM-OLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode) displays. At first, we proposed a novel a-InGaZnO TFT pixel circuit and verified that the proposed circuit could compensate for the variation of the threshold voltage in a variety of harsh stress conditions as well as could achieve the enhanced aperture ratio. Secondly, we designed a novel p-type LTPS(Low Temperature Polycrystalline Silicon) TFT pixel circuit. Through extensive numerical analysis based on experimental data of p-type LTPS TFT and OLED, we confirmed that our pixel circuit could compensate for both the mobility variation and threshold voltage shift of LTPS TFTs.