나노결정 양자점 (Nanocrystal Quantum Dot)은 현재 많이 사용되고 있는 유기 발광 다이오드(Organic light-emitting diodes) 디스플레이를 뛰어넘는 차세대 디스플레이의 소재로서 기존 유기 발광 다이오드의 발광 소재에 비해 우수한 색순도, 넓은 흡수파장, 뛰어난 색재현율, 양자점 크기에 따른 다양한 색구현 등의 장점으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 나노결정 양자점을 발광층(...
나노결정 양자점 (Nanocrystal Quantum Dot)은 현재 많이 사용되고 있는 유기 발광 다이오드(Organic light-emitting diodes) 디스플레이를 뛰어넘는 차세대 디스플레이의 소재로서 기존 유기 발광 다이오드의 발광 소재에 비해 우수한 색순도, 넓은 흡수파장, 뛰어난 색재현율, 양자점 크기에 따른 다양한 색구현 등의 장점으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 나노결정 양자점을 발광층(EML : Emission Layer)으로 사용하고 ITO를 음극으로 하는 역구조(Inverted) 양자점 발광 다이오드 (Quantum-dot light-emitting diodes)를 제작하였으며 적층 구조는 유기물/양자점/무기물의 Hybrid 형태로 높은 효율을 구현하는 양자점 발광 다이오드를 제작하였다. 음극(Cathode)으로 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하였고, RF-Sputter를 이용하여 ZnO, SnO2, ZTO의 금속산화물을 박막의 형태로 전자 수송층(ETL : Electron Transport Layer)으로 적용하였다. 정공 수송층(HTL : Hole Transport Layer)으로 N,N-bis-(l-naphthyl)-N,N`-diphenyl-1,1`-biphe nyl-4,4`-diamine (NPB)의 재료를 사용하였으며 재료와 두께에 변화를 주지 않았고, 양극으로 WO3/Ag를 사용하여 연구하였다. 정공 수송층과 양극은 진공 열 증착(Vacuum Thermal Evaporation)을 이용하여 층을 형성하였고, 발광층은 용액공정으로 층을 형성하였다. 양자점 발광 다이오드의 전압(V)-전류밀도(J)-발광휘도(L)를 비교분석하여 소자의 전기적 및 광학적 특성을 비교하였고 ITO 투명음극에 전자 수송층으로 ZTO 40nm를 증착하고 5mg/ml 농도의 CdSe/ZnS 양자점을 용액 공정, 정공 수송층인 NPB를 80nm, 마지막 양극으로 WO3(10nm)/Ag(100nm)를 사용하여 제작한 양자점 발광 다이오드가 최대 발광 휘도 790-cd/m2으로 가장 우수하였다.
나노결정 양자점 (Nanocrystal Quantum Dot)은 현재 많이 사용되고 있는 유기 발광 다이오드(Organic light-emitting diodes) 디스플레이를 뛰어넘는 차세대 디스플레이의 소재로서 기존 유기 발광 다이오드의 발광 소재에 비해 우수한 색순도, 넓은 흡수파장, 뛰어난 색재현율, 양자점 크기에 따른 다양한 색구현 등의 장점으로 활발한 연구가 진행되고 있다. 본 연구는 나노결정 양자점을 발광층(EML : Emission Layer)으로 사용하고 ITO를 음극으로 하는 역구조(Inverted) 양자점 발광 다이오드 (Quantum-dot light-emitting diodes)를 제작하였으며 적층 구조는 유기물/양자점/무기물의 Hybrid 형태로 높은 효율을 구현하는 양자점 발광 다이오드를 제작하였다. 음극(Cathode)으로 ITO(Indium Tin Oxide)를 사용하였고, RF-Sputter를 이용하여 ZnO, SnO2, ZTO의 금속산화물을 박막의 형태로 전자 수송층(ETL : Electron Transport Layer)으로 적용하였다. 정공 수송층(HTL : Hole Transport Layer)으로 N,N-bis-(l-naphthyl)-N,N`-diphenyl-1,1`-biphe nyl-4,4`-diamine (NPB)의 재료를 사용하였으며 재료와 두께에 변화를 주지 않았고, 양극으로 WO3/Ag를 사용하여 연구하였다. 정공 수송층과 양극은 진공 열 증착(Vacuum Thermal Evaporation)을 이용하여 층을 형성하였고, 발광층은 용액공정으로 층을 형성하였다. 양자점 발광 다이오드의 전압(V)-전류밀도(J)-발광휘도(L)를 비교분석하여 소자의 전기적 및 광학적 특성을 비교하였고 ITO 투명음극에 전자 수송층으로 ZTO 40nm를 증착하고 5mg/ml 농도의 CdSe/ZnS 양자점을 용액 공정, 정공 수송층인 NPB를 80nm, 마지막 양극으로 WO3(10nm)/Ag(100nm)를 사용하여 제작한 양자점 발광 다이오드가 최대 발광 휘도 790-cd/m2으로 가장 우수하였다.
In this paper, we was fabricated the inverted QD-LEDs of organic/quantum-dot/inorganic hybrid structure by applying ZnO (zinc oxide), SnO2 (tin oxide) and ZTO (zinc tin oxide) metal oxides as electron transport layer (ETL) that using RF-Sputtering process. The cathode were made from sputtered indium...
In this paper, we was fabricated the inverted QD-LEDs of organic/quantum-dot/inorganic hybrid structure by applying ZnO (zinc oxide), SnO2 (tin oxide) and ZTO (zinc tin oxide) metal oxides as electron transport layer (ETL) that using RF-Sputtering process. The cathode were made from sputtered indium tin oxide (ITO), the electron-transporting layers (ETLs) were made of RF-sputtered zinc oxide, tin oxide, zinc tin oxide, the emitting layers (EMLs) were made of spin-coated CdSe/ZnS green QD layeres, the hole-transporting layers (HTLs) were made of vacuum thermal evaporated N,N-bis-(1-nphyl)-N,N-diphnyl-1,1`-biphenyl- 4,4`-diamine (NPB) layers, the hole-injection layers (HILs) were made of evaporated tungsten oxide (WO3), and the anodes were made of evaporated silver (Ag) layers. We compared the characteristics variation of the QD-LEDs upon formation of metal oxides thin films in accordance to O2 gas amount of 1%, 3%, 5%, 10%, 15%. In addition, we analyzed about characteristics variation of the QD-LED by O2 plasma treatment of metal oxide thin films formed by RF-sputtering process. The completed devices were analyzed by measuring voltage(V)-current density(J)-luminance(L) characteristic curves and EL spectra. The highly efficient device was ZTO thickness 40nm QD-LEDs that operation parameters were 0.17-cd/A current efficiency and 790-cd/m2 emission luminance at 12.5V driving voltage, also, emission wavelength peak was 544nm and 432nm, FWHM was 46nm.
In this paper, we was fabricated the inverted QD-LEDs of organic/quantum-dot/inorganic hybrid structure by applying ZnO (zinc oxide), SnO2 (tin oxide) and ZTO (zinc tin oxide) metal oxides as electron transport layer (ETL) that using RF-Sputtering process. The cathode were made from sputtered indium tin oxide (ITO), the electron-transporting layers (ETLs) were made of RF-sputtered zinc oxide, tin oxide, zinc tin oxide, the emitting layers (EMLs) were made of spin-coated CdSe/ZnS green QD layeres, the hole-transporting layers (HTLs) were made of vacuum thermal evaporated N,N-bis-(1-nphyl)-N,N-diphnyl-1,1`-biphenyl- 4,4`-diamine (NPB) layers, the hole-injection layers (HILs) were made of evaporated tungsten oxide (WO3), and the anodes were made of evaporated silver (Ag) layers. We compared the characteristics variation of the QD-LEDs upon formation of metal oxides thin films in accordance to O2 gas amount of 1%, 3%, 5%, 10%, 15%. In addition, we analyzed about characteristics variation of the QD-LED by O2 plasma treatment of metal oxide thin films formed by RF-sputtering process. The completed devices were analyzed by measuring voltage(V)-current density(J)-luminance(L) characteristic curves and EL spectra. The highly efficient device was ZTO thickness 40nm QD-LEDs that operation parameters were 0.17-cd/A current efficiency and 790-cd/m2 emission luminance at 12.5V driving voltage, also, emission wavelength peak was 544nm and 432nm, FWHM was 46nm.
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