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학위논문 상세정보

상부종자 용액성장법에서 유체흐름 제어에 의한 고품질 4H-SiC 단결정 성장에 관한 연구


김영곤 (동의대학교 대학원 신소재공학과 국내석사)
초록

탄화규소(Silicon Carbide, SiC)는 고전압, 고주파 그리고 고온 전자 응용에 적합한 넓은 금지역대를 갖는 뛰어난 물성으로 인한 차세대 전력 반도체를 이끌어 나갈 유망한 재료 중의 하나이다. 현재까지는 실리콘(Si)이 전력 반도체 소재로써 보편적으로 사용되고 있으나 현대 사회의 급속한 발전으로 인하여 차세대 전력 반도체를 충족시키기에는 그 물성의 한계에 다다르고 있는 실정이다. 그에 따라 보다 우수한 물성을 가지는 SiC, GaN 등의 와이드 밴드갭 소재가 주목받고 있다. 특히, 4H-SiC의 결정 다형이 다른 SiC ...

Abstract

Silicon carbide(SiC) is a promising material because of excellent physical properties with wide band gap suitable for high-power, high-frequency and high-temperature electronic applications. Especially, 4H-SiC is more applied to power device than those of other SiC polytype due to having the higher ...

저자 김영곤
학위수여기관 동의대학교 대학원
학위구분 국내석사
학과 신소재공학과
발행년도 2018
총페이지 ix, 80 p.
언어 kor
원문 URL http://www.riss.kr/link?id=T14738141&outLink=K
정보원 한국교육학술정보원

DOI 인용 스타일

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