최근 반도체 산업 분야에서는 여러 센서를 이용하여 반도체 공정을 모니터링 해 공정 또는 장비의 이상현상을 찾아내고 원인을 진단하여, 최종적으로 수율을 향상을 시키고자 하는 연구를 진행하고 있다. 이런 반도체 공정진단은 수율뿐만 아니라 공정에 사용되는 가스와 공정시간을 감소시켜 제조비용을 절감한다. 현재 반도체 제조 공정의 65%이상이 플라즈마를 이용한 공정이기 때문에 플라즈마를 정밀히 제어하는 것은 중요한 이슈이다. 그 중 플라즈마를 발생시키는 핵심 부분품인 ...
최근 반도체 산업 분야에서는 여러 센서를 이용하여 반도체 공정을 모니터링 해 공정 또는 장비의 이상현상을 찾아내고 원인을 진단하여, 최종적으로 수율을 향상을 시키고자 하는 연구를 진행하고 있다. 이런 반도체 공정진단은 수율뿐만 아니라 공정에 사용되는 가스와 공정시간을 감소시켜 제조비용을 절감한다. 현재 반도체 제조 공정의 65%이상이 플라즈마를 이용한 공정이기 때문에 플라즈마를 정밀히 제어하는 것은 중요한 이슈이다. 그 중 플라즈마를 발생시키는 핵심 부분품인 RF 발생장치의 상태를 진단하기 위한 방법으로 챔버에 걸리는 전기적인 데이터 값을 측정하는 VI probe 센서를 활용하고 있다. VI Probe 센서는 플라즈마의 전압, 전류, 위상 값을 측정하지만 챔버 내부의 상태를 직접 관찰하지 못한다. 그 이유는 실제 공정상에서 알맞은 전력이 공급되고 있는가와 전력 파라미터가 공정에 어떻게 영향을 미치는가에 대한 평가가 어렵기 때문이다. 본 연구에서는 두 개의 상용화된 RF 발생기와 한 개의 개발된 RF 발생기, 총 세 개의 RF 발생기를 사용하여 챔버 내부를 전기적, 광학적 센서로 실시간 모니터링 데이터와 공정결과 계측 데이터를 통해 개발된 RF 발생기의 성능 평가를 하였다. 실험은 PECVD에서 silicon dioxide를 증착시킨 후 박막의 계측 데이터와 실시간 모니터링 센서의 데이터를 비교하였다. 이 결과 RF 발생기에 따른 실시간 모니터링 센서의 데이터가 막의 상태와 관계가 있음을 확인하였다. 본 연구를 통해 실시간 모니터링 센서를 사용하여 RF 발생기를 평가한다면 각 공정마다 적합한 RF 발생기 사용을 통한 수율 향상이 기대된다.
최근 반도체 산업 분야에서는 여러 센서를 이용하여 반도체 공정을 모니터링 해 공정 또는 장비의 이상현상을 찾아내고 원인을 진단하여, 최종적으로 수율을 향상을 시키고자 하는 연구를 진행하고 있다. 이런 반도체 공정진단은 수율뿐만 아니라 공정에 사용되는 가스와 공정시간을 감소시켜 제조비용을 절감한다. 현재 반도체 제조 공정의 65%이상이 플라즈마를 이용한 공정이기 때문에 플라즈마를 정밀히 제어하는 것은 중요한 이슈이다. 그 중 플라즈마를 발생시키는 핵심 부분품인 RF 발생장치의 상태를 진단하기 위한 방법으로 챔버에 걸리는 전기적인 데이터 값을 측정하는 VI probe 센서를 활용하고 있다. VI Probe 센서는 플라즈마의 전압, 전류, 위상 값을 측정하지만 챔버 내부의 상태를 직접 관찰하지 못한다. 그 이유는 실제 공정상에서 알맞은 전력이 공급되고 있는가와 전력 파라미터가 공정에 어떻게 영향을 미치는가에 대한 평가가 어렵기 때문이다. 본 연구에서는 두 개의 상용화된 RF 발생기와 한 개의 개발된 RF 발생기, 총 세 개의 RF 발생기를 사용하여 챔버 내부를 전기적, 광학적 센서로 실시간 모니터링 데이터와 공정결과 계측 데이터를 통해 개발된 RF 발생기의 성능 평가를 하였다. 실험은 PECVD에서 silicon dioxide를 증착시킨 후 박막의 계측 데이터와 실시간 모니터링 센서의 데이터를 비교하였다. 이 결과 RF 발생기에 따른 실시간 모니터링 센서의 데이터가 막의 상태와 관계가 있음을 확인하였다. 본 연구를 통해 실시간 모니터링 센서를 사용하여 RF 발생기를 평가한다면 각 공정마다 적합한 RF 발생기 사용을 통한 수율 향상이 기대된다.
In the early years of semiconductor manufacturing process, the efforts of monitering process using various sensors detecting and diagnosing defects are ultimately made to improve the yield. This semiconductor process prevents yield loss and loss of resource such as waste of gas and waste of time. At...
In the early years of semiconductor manufacturing process, the efforts of monitering process using various sensors detecting and diagnosing defects are ultimately made to improve the yield. This semiconductor process prevents yield loss and loss of resource such as waste of gas and waste of time. At present, more than 65% of the manufacturing process in the semiconductor process is dominated by the process using plasma, and controlling plasma is becoming an important issue. In order to diagnose the RF system required for generating the plasma, a VI probe sensor is generally used to measure the electrical value of the chamber, not the inside of the chamber, to diagnose the RF generator. The VI Probe sensor measures the voltage, current, and phase of the plasma but does not directly see the state inside the chamber. For that reason, it is difficult to evaluate the effect of the proper power on the actual process. In this study three different RF generators, two commercial RF generators and one RF generator in development, are used. The three real-time RF generators are used to directly monitor the inside of the chamber with optical sensors and data And to evaluate the performance of RF generator. Experiments were performed to deposit Silicon Dioxide in PECVD. The results of film deposition and optical sensor data were compared with each other. As a result, it was found that the change of data value of optical sensor depending on RF generator influences film state. As a result, if the RF generator is evaluated properly by using the electric sensor and the optical sensor, the yield can be improved by selecting the RF generator suitable for the process.
In the early years of semiconductor manufacturing process, the efforts of monitering process using various sensors detecting and diagnosing defects are ultimately made to improve the yield. This semiconductor process prevents yield loss and loss of resource such as waste of gas and waste of time. At present, more than 65% of the manufacturing process in the semiconductor process is dominated by the process using plasma, and controlling plasma is becoming an important issue. In order to diagnose the RF system required for generating the plasma, a VI probe sensor is generally used to measure the electrical value of the chamber, not the inside of the chamber, to diagnose the RF generator. The VI Probe sensor measures the voltage, current, and phase of the plasma but does not directly see the state inside the chamber. For that reason, it is difficult to evaluate the effect of the proper power on the actual process. In this study three different RF generators, two commercial RF generators and one RF generator in development, are used. The three real-time RF generators are used to directly monitor the inside of the chamber with optical sensors and data And to evaluate the performance of RF generator. Experiments were performed to deposit Silicon Dioxide in PECVD. The results of film deposition and optical sensor data were compared with each other. As a result, it was found that the change of data value of optical sensor depending on RF generator influences film state. As a result, if the RF generator is evaluated properly by using the electric sensor and the optical sensor, the yield can be improved by selecting the RF generator suitable for the process.
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