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S$m_2O_3-ZrO_2$계의 전기전도성

Electrical Conductivity of S$m_2O_3-ZrO_2$ Systems

대한화학회지 = Journal of the Korean Chemical Society, v.29 no.6, 1985년, pp.608 - 614  

조정환 (연세대학교 이과대학 화학과) ,  장금휘 (연세대학교 이과대학 화학과) ,  김규홍 (연세대학교 이과대학 화학과) ,  김용배 (건국대학교 문리과대학 화학과) ,  최재시 (연세대학교 이과대학 화학과)

초록
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$ZrO_2$가 10, 20, 30, 40, 그리고 50 mol% 포함된 $ZrO_2-Sm_2O_3$계의 전기전도도를 500 ~ 1000$^{\circ}C$$10^{-5}~10^{-1}Po_2$ atm에서 측정하였다. 전기전도도를 온도의 함수로 도시한 결과 650$^{\circ}C$ 근처에서 온도의존성이 큰 고온영역과 적은 저온영역으로 구분되었으며 두 개의 각기 다른 결함구조를 보여 주었다. 전기전도도가 산소분압의 증가에 따라 증가하므로 P형의 전자성 반도체이며 고온영역에서 산소압력의존성은 ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/5.3}$, 저온영역에서 ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/6}$에 가까운 값을 나타냈다. ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/5.3}$인 영역에서의 defect는 Oi"이며 ${\sigma}{\propto}Po_2^{1/6}$인 영역에서의 defect는 $Vs_m$"'이다. 고온영역에서 carrier type은 electron hole이며 저온영역에서는 이온성의 기여도가 있다. 이러한 이온성의 기여는 dopant의 양이 증가할 수록 커진다. 60mol% 가 포함된 $ZrO_2-Sm_2O_3$계에서는 전기전도도는 산소압력이 감소함에 따라 증가하였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Electrical conductivities of $ZrO_2-Sm_2O_3$ systems containing 10, 20, 30, 40, and 50 mol% of $ZrO_2$ have been measured as a function of temperature and of oxygen partial pressure at temperature from 500 to 1000${\circ}C$ and oxygen partial pressures from 1 ${...

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