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논문 상세정보

SiC-(Si+C) 소결체의 강도에 미치는 (Si+C)첨가량의 영향

Effect of(Si+C) Content on the Strength of SiC-(Si+C) Sintered Bodies


$\beta$-SiC bonded SiC bodies were prepared from various conditions such as several compositions of(Si+C)/$\alpha$ -SiC ratio and different firing schedules and were respectively investigated compressive strength MOR and mi-crostructure. One firing schedule which produced the specimens that had $\beta$-SiC neck form with the highest strength was selected and experimented by each firing temperature. results obtained are as follows : 1) The amount of (Si+C) for th highest MOR of SiC-(Si+C) sintered body is 20wt% 2) By adding 20wt% content of (Si+C) and heating up to 1, 500 with soaking 3hrs respectively at 1,150$^{\circ}C$ 1,250$^{\circ}C$ 1,350$^{\circ}C$ and 1,400$^{\circ}C$ the highest MOR of fired specimen was resulted and its microstructure of ma-trix was composed of close $\beta$-SiC neck. 3) Microstructure of $\beta$-SiC were different greatly from each other by firing time and/or quantity of adding mix-ture and it was confirmed that they were composed of neck particle-like and heterogeneous texture. 4)$\beta$-SiC synthesis proceed rapidly at the temperature between 1,250$^{\circ}C$ and 1,350$^{\circ}C$ 5) All of the properties of 85 SiC-20(Si+C) specimen improved according to increasing temperature above 1,350$^{\circ}C$.

참고문헌 (6)

  1. The Relationship between Temperature and Environment, Texture and Strength of Self-bonded Silicon Carbide , J.R. Mclaren;G. Tappin;R.W. Davidge , Proc. Brit. Ceram. Sco. / v.,pp.259-274, 1972
  2. Studies on the Wear Mechanism of Blast-Furnace Refractories , T. Horio(et al.) , TAIKABUTSU OVERSEAS / v.2,pp.3-14, 1982
  3. Sihcon Carbide Blast Furnace Refractories , R.W. Brown , IRON AND STEELMAKER / v.,pp.16-25, 1983
  4. Anomalous Young's Modulus Behaviour of SiC at Elevated Temperature , JDB Veldkamp;WF Krippenberg , J. Phys. D:Appl. Phys. / v.7,pp.407-411, 1974
  5. Precise Parameter Measurements , B.D. Cullity , Element of X-ray Diffraction(2nd) / v.,pp.350-363, 1978
  6. Non-Electronic Applications of SiC , Peter T.B. Shaffer , Silicon Carbide Proc. Int. Conf. / v.3,pp.343-351, 1973

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