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Twin-tub CMOS공정으로 제작된 서브마이크로미터 n채널 및 p채널 MOSFET의 특성

Characteristics of submicrometer n-and p-channel MOSFET's fabricated with twin-tub CMOS process

電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.5 no.3, 1992년, pp.320 - 327  

서용진 (중앙대학교 전기공학과) ,  최현식 (중앙대학교 전기공학과) ,  김상용 (중앙대학교 전기공학과) ,  김태형 (중앙대학교 전기공학과) ,  김창일 (중앙대학교 전기공학과) ,  장의구 (중앙대학교 전기공학과)

초록
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Twin-tub CMOS 공정에 의해 제작된 서브마이크로미터 채널길이를 갖는 n채널 및 p채널 MOSFET의 특성을 고찰하였다. n채널 및 p채널 영역에서의 불순물 프로파일과 채널 이온주입 조건에 따른 문턱전압의 의존성 및 퍼텐셜 분포를 SUPREM-II와 MINIMOS 4.0을 사용하여 시뮬레이션하였다. 문턱전압 조정을 위한 counter-doped 보론 이온주입에 의해 p채널 MOSFET는 표면에서 대략 0.15.mu.m의 깊이에서 매몰채널이 형성되었다. 각 소자의 측정 결과, 3.3[V] 구동을 위한 충분한 여유를 갖는 양호한 드레인 포화 특성과 0.2[V]이하의 문턱전압 shift를 갖는 최소화된 짧은 채널 효과, 10[V]이상의 높은 펀치쓰루 전압과 브레이크다운 전압, 낮은 subthreshold 값을 얻었다.

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