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Ti-silicide 박막 형성시 규소 기판에 이온 주입된 붕소 거동에 대한 SIMS 분석
SIMS analysis of the behavior of boron implanted into single silicon during the Ti-silicide formation 원문보기

분석과학 = Analytical science & technology, v.5 no.2, 1992년, pp.199 - 202  

황유상 (한양대학교 재료공학과) ,  백수현 (한양대학교 재료공학과) ,  조현춘 (산업기술정보원 전자전기실) ,  마재평 (호남대학교 전자공학과) ,  최진석 (한양대학교 재료공학과) ,  강성건 (한양대학교 재료공학과)

초록
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$BF_2$를 50keV, 90keV로 에너지를 달리하여 주입한 실리콘 기판에 타이타늄을 sputter하여 Ti-slicide를 형성한 시편과 composite target을 사용하여 Ti-silicide를 형성한 시편을 준비하였다. Ti-silicide 형성시 boron의 거동을 SIMS(secondary ion mass spectrometry)로 분석하였다. Metal-Ti target을 사용한 경우 Ti-silicide 형성시 불순물들이 재분포하였으며 이온 주입 에너지가 작은 경우 심한 out-diffusion이 발생하였다. 한편 Composite target을 사용한 경우 거의 재분포가 발생하지 않고 안정된 boron의 분포를 보였다.

Abstract AI-Helper 아이콘AI-Helper

Ti-silicide was formed by using metal-Ti target and composite target on the silicon substrate that $BF_2$ were introduced into. Implant energies of $BF_2$ were 50keV and 90keV. The behavior of boron was investigated by SIMS. The redistribution of boron occurred during the forma...

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