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결정 배향에 따른 Si의 열산화 거동 및 전기적 특성

Thermal Oxidation Behavior and Electrical Characteristics of Silicon depending on the Crystal Orientation

요업학회지 = Journal of the Korean Ceramic Society, v.31 no.7, 1994년, pp.753 - 758  

우현정 (연세대학교 세라믹공학과) ,  최두진 (연세대학교 세라믹공학과) ,  양두영 ((주)금성 일렉트론 반도체연구소)

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(100) Si and 4$^{\circ}$off (100) Si were oxidized in dry oxygen, and the differences in thermal oxidation behavior and electrical characteristics between two specimens were investigated. Ellipsometer measurements of the oxide thickness produced by oxidation in dry oxygen from 1000 to 12...

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