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논문 상세정보

SONOS EEPROM소자에 관한 연구

A study on the SONOS EEPROM devices

Abstract

SONOS EEPROM chips, containing several SONOSFET nonvolatile memories of various channel size, have been fabricated on the basis of the existing n-well CMOS processing technology for 1 Mbit DRAM ($1.2\mu\textrm{m}$.m design rule). All the SONOSFET memories have the triple insulated-gate consisting of 30.angs. tunneling oxide, 205.angs. nitride and 65.angs. blocking oxide. The miniaturization of the devices for the higher density EEPROM and their characteristics alterations accompanied with the scaling-down have been investigated. The stabler operating characteristics were attained by increasing the ratio of the channel width to length. Also, the transfer, switching, retention and degradation characteristics of the most favorable performance devices were presented and discussed.

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (3)

  1. 1998. "A Study on the Synaptic Characteristics of SONOS memories for the Artificial Neural Networks" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 11(1): 7~11 
  2. 2002. "High Density and Low Voltage Programmable Scaled SONOS Nonvolatile Memory for the Byte and Flash-Erased Type EEPROMs" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 15(10): 831~837 
  3. 2003. "A Study on the High Integrated 1TC SONOS flash Memory" 전기전자재료학회논문지 = Journal of the Korean institute of electronic material engineers, 16(5): 372~377 

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