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NTIS 바로가기電氣電子材料學會誌= The journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers, v.7 no.3, 1994년, pp.225 - 230
서용진 (중앙대학교 전기공학과) , 장의구 (중앙대학교 전기공학과)
In this paper, we have fabricated short channel MOSFETs with these parameters to verify the validity of process parameters extraction by DTC method. The experimental results of fabricated short channel devices according to the optimal process parameters demonstrate good device characteristics such ...
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