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논문 상세정보

Sb-InSb및 Sn-Bi공정합금의 미세조직과 전기비저항

Relationship Between Microstructure and Electrical Resistivity of Sb-InSb-and Sn-Bi Eutectic Alloys

초록

전형적인 f-f 및 nf-f 공정합금계로 분류되는 Sb-InSb 및 Sn-Bi 합금계를 일방향 응고시켜서 성장속도에 따른 전기비저항값의 변화를 조사함으로써 미세조직의 이방성을 전기비저항의 특성으로 분석하고자 하였다. Sb-InSb 계의 경우 26-34wt.% In, Sn-Bi 계의 경우 53-65wt.% Bi의 조성을 갖는 공정합금을 진공봉합시켜 Bridgman형의수직관상로에서 일방향응고시켰다. 일방향응고 시편을 횡단면 및 종단면으로 절단 채취하여 미세조직을 관찰한 후 전기비저항을 측정하였다. Sb-InSb , Sn-Bi공정복합조직의 경우 모두 성장속도의 증가에 따라 성장방향에 수평한 방향의 비저항값($\rho$┴)은 감소하였으며, Sb InSb 공정복합조직의 경우 특히 성장 속도의 증가에 따르는 미세조직상의 두가지 변화 즉, 상경계면적(phase boundary area)의 증가와 fiber방향성의 감소는 공히 $\rho$ ll 값을 증가시키는 반면 $\rho$┴ 값에는 서로 상반된 영향을 끼쳤다. 또한 성장속도의 증가에 따라 점차 조직의 이방성이 상실되었다. 이와 같이 측정된 전기비저항은 미세조직특성과 잘 일치하는 바 전기비저항 측정은 조직 특성분석의 유효한 도구가 될 수 있다.

Abstract

The dependence of the electrical resistivity on the eutectic composition and growth rates was investigated in the unidirectionally solidified Sb-InSb and Sn-Bi eutectic alloy systems, which were generally classified into the groups of f-f and nf-f eutectic system. Sb-InSb alloys containing 26-34wt.% In and Sn-Bi alloys containing 53-65wt.%Bi were prepared in vacuum sealed in a silica tube, and then these were unidirectionally solidified. Electrical resistivity of the specimens prepared by cutting the crystal section in parallel with the transverse direction and by cutting in longitudinal direction was measured. As the growth rate increased, the Sb-InSb and Sn-Bi eutectic alloys showed that the resistivity of longitudinal to the growth direction was increased but that of transverse to the growth direction was decreased. In the case of Sb-InSb eutectic alloy, increas~ng the phase boundary area and decreasing the fiber directionallity caused to increase the $p \; \parallel$ , while increasing the phase boundary area increased the $p \; \\perp$ As expected, the eutectic microstructure could be analysed well in terms of electrical resistivity.

저자의 다른 논문

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이 논문을 인용한 문헌 (1)

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