$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

초청정 Si기판에 동시 증착된 $TiSi_2$ 의 상전이 및 형성

Phase Transition and Formatio of $TiSi_2$ Codeposited on Atomicaily Clean Si(111)

초록

초청정 실리콘 기판위에 동시증착(codeposition)하여 형성된 Ti silicide의 상전이와 표면 및 계면 형상을 조사하였다. UHV(UItra Highvaccum) 챔버에서 200$\AA$Ti와 400$\AA$ Si을 400-$800^{\circ}C$로 가열한 실리콘 기판위에 동시증착하였다. XRD, SEM, TEM 으로 상전이와 계면 및 표면을 관찰하였다. 비교적 평편한 형상을 갖는 C49상은 $500^{\circ}C$$600^{\circ}C$에서 형성되었으며 응집화 현상은 관찰되지 않았다. $700^{\circ}C$에서 형성된 C54는 표면과 계면의 형상이 거칠어졌다. 기판의 온도가 $800^{\circ}C$로 증가할때 이런 현상은 더욱 뚜렷히 관찰되었다. $400^{\circ}C$$500^{\circ}C$에서 TiSi와 관련된 XRD peak가 관찰되었고, TEM사진에서 기판과 박막계면에 작은 결정들이 존재하는 것이 보이고 있다.

Abstract

The phase transition and the surface and interface morphologies of $TiSi_2$ formed on atomically clean Si substrates are investigated. 200$\AA$ Ti and 400$\AA$ Si films on Si(ll1) have been codeposited at elevated temperatures (400~$800^{\circ}C$) in ultrahigh vacuum. The phase transition of TiSiL is characterized with using XRD. The results distinguish the formation of the C49 and C54 crystalline titanium silicides. The surface and interface morphologies of titanium silicides have been examined with SEM and TEM. A relatively smootb surface is observed for the C49 phase while a rough surface and interface are observed for C54 phase. The islanding of the C54 phase becomes severe at high temperature ($800^{\circ}C$). Islands of TiSiL have been observed at temperatures above $700^{\circ}C$ but no islands are observed at temperatures below $600^{\circ}C$. For films deposited at $400^{\circ}C$ and 500%. weak XRD peaks corresponding to TiSi were observed and TEM micrographs exhibited small crystalline regions of titanium silicide at the interface.

참고문헌 (11)

  1. C.Y.Ting;F.M.d'Heurle;S.S.Iyer;P.M.Fryer , J. Electrochem. Soc. / v.133,pp.1621, 1986
  2. K.Holloway;R.Sinclair , J. Appl. Phys. / v.61,pp.1359, 1987
  3. H.Jeon;C.A.Sukow;J.W.Honeycutt;G.A.Rozgonyi;R.J.Nemanich , J. Appl. Phys. / v.71,pp.4269, 1992
  4. J.R.Vig , J. Vac. Sci. Technol. / v.A3,pp.1027, 1985
  5. T.Takahagi;I.Nagai;A.Ishtani;H.Kuroda , J. Appl. Phys. / v.64,pp.3516, 1988
  6. D.B.Fenner;D.K.Biegelsen;R.D.Bringans , J. Appl. Phys. / v.66,pp.419, 1989
  7. R.Beyer;R.Sinclair , J. Appl. Phys. / v.57,pp.5240, 1985
  8. F.M.d'Heurle , J. Mater. Res. / v.3,pp.167, 1988
  9. C.K.Lau;Y.C.See;D.B.Scott;J.M.Bridges;S.M.Perma;R.D.Davis , IEDM Tech. Dig. / v.,pp.714, 1982
  10. S.P.Murarka;D.B.Fraser , J. Appl. Phys. / v.51,pp.342, 1980
  11. M.H.Wang;L.J.Chen , Appl. Phys. Lett. / v.59,pp.2460, 1991

이 논문을 인용한 문헌 (1)

  1. Yoon, Gang-Joong ; Jeon, Hyeong-Tae 1995. "The Effects of Ti Film Thicknesses and Si Substrate Orientations on Phase Transition of Tisi$_2$" 한국재료학회지 = Korean journal of materials research, 5(7): 820~828 

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일