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NTIS 바로가기한국재료학회지 = Korean journal of materials research, v.4 no.6, 1994년, pp.687 - 694
이병택 (전남대학교 금속공학과) , 안주헌 (전남대학교 금속공학과) , 김동근 (전남대학교 금속공학과) , 안병찬 (전남대학교 금속공학과) , 남산 (전자통신연구소 물성분석실) , 조경익 (전자통신연구소 물성분석실) , 박인식 (금성전선 광통신연구소) , 장성주 (통신대학교 물리학화)
Heteroepitaxial InP/GaAs layers were grown using the selective liquid phase epitaxy (SLPE) technique. It was observed that the optimum LPE conditions were
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