$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

Hot-Wall Epitaxy에 의한 CdTe(100) 박막의 성장과 광전류 특성

Growth of CdTe(100) Epilayers by Hot-Wall Epitaxy and Photocurrent Characterization

초록

-Hot-wall epitaxy 방법에 의하여 GaAs(100) 기판위에 CdTe(100)박막을 성장하였다. 박막을 성 장하는 동안 기판의 온도는 28$0^{\circ}C$ 증발원의 온도는 $430^{\circ}C$로 유지하였고 성장률은 $2mu$m/h이었다. 박막의 두께가 증가함에 따라 격자상수와 2결정 X-선 요동곡선의 반폭치가 감소하였다. CdTe (100) 박막의 광 전류 스펙트럼으로부터 에너지 띠간격의 광전류 봉우리는 가전자대 8 에 있는 전자가 광흡수에 의해 전도대 6 전이한 것이며 에너지 띠간격의 온도의존성을 구한 결과 온도계수 a=-2.3~-3.5 x 10-4 ev/k.

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일