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논문 상세정보
비정질 실리콘을 이용한 다층 유전 박막의 전기적 특성에 관한 연구
Study on Electric Charactreistics of Multi-dielectric Thin Films Using Amorphous Silicon
Abstract
The electrical characteristics of the capacitor dielectric films of amorphous silicon-nit-ride-oxide(ANO) structures are compared with the capacitor dielectric films of oxide-nitride-oxide (ONO) structrues The electrical characteristics of ONO and ANO films were evaluated by high frequency(1 MHz) C-V high frequency C-V after constant voltage stree I-V TDDB and refresh time measurements. ANO films shows good electrical characteristics such as higher total charge to breakdown storage capacitance and longer refresh time than ONO films. Also it makes little difference that leakage current and flat band voltage shyift(ΔVfb)of ANO ana ONO films.
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