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논문 상세정보
Si(100) 메사 구조위에 성장시킨$ Ge_xSi_{1-x}$ 층에서의 응력 풀림
Strain Relief of$ Ge_xSi_{1-x}$ (100) Mesa Structure
韓國眞空學會誌 = Journal of the Korean Vacuum Society
v.3 no.3
, 1994년, pp.337 - 340
초록
기판의 크기에 따른 Strained Layer에서의 응력 풀림 현상을 연구하기 위하여 마이크론 이하에 서 50 마이크론의 크기를 가지는 메사 구조를 제작하였다. 제작된 메사 구조위에 성장시킨 GeSi층은 마 이크로 Raman, XPS, I-V와 C-V측정에 의하여 응력의 풀림현상을 관찰하였다. 이 실험을 통하여 메사 구조 위에 성장시킨 GexSi1-x 층에서의 응력풀림이 편평한 기판위에 성장시킨 경우에 비하여 원활하였 다. 이것은 메사 구조의 가장자리에 Strain Dislocation 이 편중되는 것으로 이해될수 있다.
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