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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.1, 1994년, pp.54 - 60
양광선 (연세대학교 전자공학과) , 박종태 (인천대학교 전자공학과) , 김봉렬 (연세대학교 전자공학과)
In this paper, we present the analytical models for the change of the lateral electric field distribution and the velocity saturation region length with the electron trapping of stressed SC-PMOSFET in the saturation region. To derive the hot-electron-induced lateral electric field of stressed SC-PMO...
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