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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.8, 1994년, pp.91 - 99
김광일 (산업과학기술연구소 전자전기 연구분야) , 이상환 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 정욱진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 정호배 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 권영규 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 김범만 (포항공과대학 전자전기공학과)
Damage induced by Si ion implantation and its annealing behavior during rapid thermal annealing were investigated by cross-sectional TEM (transmission electron microscopy) and RB ( Rutherford backscattering) spectrum. 150keV and 50keV Si ions were implanted in Si (100) at room temperature with doses...
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