$\require{mediawiki-texvc}$
  • 검색어에 아래의 연산자를 사용하시면 더 정확한 검색결과를 얻을 수 있습니다.
  • 검색연산자
검색연산자 기능 검색시 예
() 우선순위가 가장 높은 연산자 예1) (나노 (기계 | machine))
공백 두 개의 검색어(식)을 모두 포함하고 있는 문서 검색 예1) (나노 기계)
예2) 나노 장영실
| 두 개의 검색어(식) 중 하나 이상 포함하고 있는 문서 검색 예1) (줄기세포 | 면역)
예2) 줄기세포 | 장영실
! NOT 이후에 있는 검색어가 포함된 문서는 제외 예1) (황금 !백금)
예2) !image
* 검색어의 *란에 0개 이상의 임의의 문자가 포함된 문서 검색 예) semi*
"" 따옴표 내의 구문과 완전히 일치하는 문서만 검색 예) "Transform and Quantization"
쳇봇 이모티콘
안녕하세요!
ScienceON 챗봇입니다.
궁금한 것은 저에게 물어봐주세요.

논문 상세정보

Low Temperature (LT) GaAs 에피층의 성장과 그 특성연구

The Growth and Its Characteristics of Low Temperature (LT. $250^{\\circ}C$) GaAS Epilayer

Abstract

The GaAs epilayer was grown at low temperature (LT. 250.deg. C) by molecular beam epitaxy. The properties of the LTT GaAs, before and after Rapid Thermal Annealing(RTA), were analyzed by Reflection of High Energy Electron Diffraction (RHEED), Double Crystal X-ray(DCX), Raman spectroscopy, PL and Photo-Induced Current Transient Spectroscopy (PICTS). The LT GaAs before RTA, was analyzed by RHEED and DCX, with a result of an improved surface morphology under a relatively As-rich(As/Ga ratio :28) condition, and of an increased lattics parameter of 1.1 1.7% in comparison with a GaAs substrate. However DCX and Raman spectroscopy revealed that the expanded lattics parameter and the crystallinity of LT GaAs could be recovered after RTA. On the other hand, PL spectra indicated that LT GaAs after RTA showed low optical sensitivity unlike High Temperature(HT) GaAs, and that its surface morphology and crystallinity were corresponded with those of HT GaAs. Finally PICTS spectra proved the fact that low sensitivity of LT GaAs was due to the deep level defects (Ec-0.85eV) which were strogly formed by raising RTA temperature to 750.deg. C.

참고문헌 (0)

  1. 이 논문의 참고문헌 없음

이 논문을 인용한 문헌 (0)

  1. 이 논문을 인용한 문헌 없음

원문보기

원문 PDF 다운로드

  • ScienceON :

원문 URL 링크

원문 PDF 파일 및 링크정보가 존재하지 않을 경우 KISTI DDS 시스템에서 제공하는 원문복사서비스를 사용할 수 있습니다. (원문복사서비스 안내 바로 가기)

상세조회 0건 원문조회 0건

DOI 인용 스타일