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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.9, 1994년, pp.114 - 120
이진희 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 윤형섭 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 강석봉 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 오응기 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 이해권 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 이재진 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 최상수 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 박철순 (한국전자통신연구소 반도체연구단) , 박형무 (한국전자통신연구소 반도체연구단)
We have been successfully fabricated the low nois HEMT device with AlGaAs and GaAs structure. The epitazial layer with n-type AlgaAs and undoped GaAs was grown by molecular beam epitaxy(MBE) system. Ohmic resistivity of the ource and drain contact is below 5
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