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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.10, 1994년, pp.71 - 78
이종람 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부) , 김해천 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부) , 문재경 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부) , 권오승 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부) , 이해권 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부) , 황인덕 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부) , 박형무 (한국전자통신연구소 반도체연구단 화합물반도체연구부)
We have developed GaAs power metal semiconductor field effect transistors (MESFETs) for 4.7V operation under 900 MHz using a low-high deped structures grown by molecular beam epitaxy (MBE). The fabricted MESFETs with a gate widty of 7.5 mm and a gate length of 1.0.mu.m show a saturated drain current...
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