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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.12, 1994년, pp.38 - 43
GaAs and AlGaAs layers were grown by Molecular Beam Epitaxy (MBE) to fabricate hith performance GaAs MESFETs. Optimum growth temperatures were found to be 600
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