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정전기에 의한 CMOS DRAM 내부 회오의 파괴 Mechanism과 입력 보호 회로의 개선

ESD damage mechanism of CMOS DRAM internal circuit and improvement of input protection circuit

電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.12, 1994년, pp.64 - 70  

이호재 (현대전자산업주식회사) ,  오춘식 (현대전자산업주식회사)

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In this paper, we inverstigated how a parricular internal inverter circuit, which is located far from the input protection in CMOS DRAM, can be easily damaged by external ESD stress, while the protection circuit remains intact. It is shown in a mega bit DRAM that the internal circuit can be safe fro...

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