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NTIS 바로가기電子工學會論文誌. Jounnal of the Korea institute of telematics and electronics. A. A, v.31A no.12, 1994년, pp.115 - 121
이경일 (금성일렉트론㈜ 반도체연구소) , 김영성 (금성일렉트론㈜ 반도체연구소) , 주승기 (서울대학교 금속공학과) , 라관구 (서울대학교 금속공학과) , 김우식 (서울대학교 금속공학과)
Aluminum films were chemically vapor deposited for the metallization of the integrated circuits and the spiking characteristics of the direct CVD Al/Si contacts were investigated. When the aluminum was formed by CVD uniform consumption of the substrate silicon was observed, which is quite different ...
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