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EBE로 증착된 반도체 CdZnTe 박막의 결정구조와 표면조성
The structure and the surface composition of semiconductor CdZnTe films by EBE 원문보기

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.5 no.1, 1995년, pp.25 - 36  

박국상 (단국대학교 물리학과) ,  김선옥 (단국대학교 물리학과) ,  이기암 (단국대학교 물리학과)

초록
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유리기판(Corning 7059) 위에 Electron Beam Evaporator(EBE)로 진공 중에서 증착된 $Cd_{1-y}Zn_{y}Te$(CZT) 박막의 표면 조성비와 결정구조를 조사하였다. 증착시 기판의 온도는 각각 실온과 $300^{\circ}C$였으며, 열처리는 압력 $1 {\times} 10^{-6}$ torr하에서 $300^{\circ}C$에서 1시간 동안 행하였다. 증착된 CZT 박막의 표면조성비는 Cd 원자가 상대적으로 약 4% 정도 부족하였고, Zn원자는 비교적 안정하였다. 박막의 구조는 거의 Cubic phase인 다결정(polycrystal)이었다. $400^{\circ}C$에서 측정된 X-선 분말 회절상으로부터 구한 격자상수 값으로부터 계산된 열팽창 계수$6.30 {\times} 10^{-6}/^{\circ}C$ 이었다. 박막은 열처리에 의하여 회절상의 peak가 증가하였으나 기판의 온도가 결정화에 더 큰 영향을 미치는 것으로 판단된다.

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We have investigated the structure and the conductivity of the $Cd_{1-y}Zn_{y}$ Te films evaporated on the glass substrates (Corning 7059) by Electron Beam Evaporator (EBE) in pressure of approximately $1 {\times} 10^{-6}$ torr.The structure temperatures were held at both room ...

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