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승화법에 의한 SiC 단결정 육성

6H - SiC single crystal growth by sublimation process

한국결정성장학회지 = Journal of the Korean crystal growth and crystal technology, v.5 no.1, 1995년, pp.50 - 59  

강승민 (한양대학교 무기재료공학과) ,  오근호 (한양대학교 무기재료공학과)

초록
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자체 제작된 승화법에 의한 결정성장 장치를 이용하여, 6H-SiC 단결정을 성장하였다. Acheson 법으로 얻어진 6H 결정을 seed substrate로 사용하였으며, SiC source 로부터 분해된 승화 증기가 seed상에서 육성되도록 흑연 도가니내의 온도구배 및 성장온도와 압력을 유기적으로 조절하였다. 성장 전 graphite 도가니 구성부와 SiC 원료에 대한 purification을 행함으로써 성장결정 내부로의 불순물 혼입이 억제되도록 하엿다. 결정 성장시의 육성조건으로 도가니 바닥의 온도는 $2300~2400^{\circ}C$였으며, 성장로 내부의 분위기 압력은 200~400 torr에서 양질의 단결정을 얻을 수 있었다. 성장된 결정을 두께 1.5 mm의 wafer로 제작하여 XRD와 optical microscope로 관찰하였고, FT-IR spectrum으로 분석하였다.

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Abstract 6 H - SiC single crystal was grown by sublimation growth system which was self - designed and manufactured. In order that the SiC source might be decomposited and sublimed and deposited on the 6H - seed substrate grown by Acheson method, the temperature gradient, the growth parameters of ...

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